casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H412K7BDA
codice articolo del costruttore | H412K7BDA |
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Numero di parte futuro | FT-H412K7BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H412K7BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.7 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412K7BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H412K7BDA-FT |
H410K5DYA
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
H410R2BZA
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XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel