codice articolo del costruttore | H22A4 |
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Numero di parte futuro | FT-H22A4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H22A4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Distanza di rilevamento | 0.118" (3mm) |
Metodo di sensing | Transmissive |
Configurazione di uscita | Phototransistor |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Tempo di risposta | 8µs, 50µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole, Flange |
Pacchetto / caso | Slotted, PC Pins |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H22A4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H22A4-FT |
WF3T-B4210
SICK, Inc.
WF5-40B410
SICK, Inc.
WF5-40B416
SICK, Inc.
WF5-60B410
SICK, Inc.
WF5-60B416
SICK, Inc.
WF5-95B410
SICK, Inc.
WF5-95B416
SICK, Inc.
WF50-40B410
SICK, Inc.
WF50-40B416
SICK, Inc.
WF50-60B410
SICK, Inc.
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
APA150-TQG100I
Microsemi Corporation
A40MX04-2PLG84I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP1C12F324I7
Intel