codice articolo del costruttore | H21B2 |
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Numero di parte futuro | FT-H21B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H21B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Distanza di rilevamento | 0.118" (3mm) |
Metodo di sensing | Transmissive |
Configurazione di uscita | Photodarlington |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Tempo di risposta | 7µs, 45µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole, Flange |
Pacchetto / caso | Slotted, PC Pins |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H21B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H21B2-FT |
WF30-40B416
SICK, Inc.
WF30-60B410
SICK, Inc.
WF30-60B416
SICK, Inc.
WF30-95B410
SICK, Inc.
WF30-95B416
SICK, Inc.
WF3T-B4210
SICK, Inc.
WF5-40B410
SICK, Inc.
WF5-40B416
SICK, Inc.
WF5-60B410
SICK, Inc.
WF5-60B416
SICK, Inc.
M1AFS600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-3
Intel
EP4CE55F23I7N
Intel
5SGXMA5N3F45I3N
Intel
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I4LN
Intel
EPF10K100EBC356-1
Intel
EP4SGX110FF35I4N
Intel