casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / H11B3M-V
codice articolo del costruttore | H11B3M-V |
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Numero di parte futuro | FT-H11B3M-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11B3M-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 100% @ 1mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 25µs, 18µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 55V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B3M-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H11B3M-V-FT |
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SVM
ON Semiconductor
H11AA13S
ON Semiconductor
H11AA13SD
ON Semiconductor
H11AA4SDM
ON Semiconductor
MCT5201SR2M
ON Semiconductor
MCT2ESM
ON Semiconductor
MCT2ESR2VM
ON Semiconductor
HMHAA280
ON Semiconductor
HMA121CR3V-NF098
ON Semiconductor
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation