casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / H11A4M
codice articolo del costruttore | H11A4M |
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Numero di parte futuro | FT-H11A4M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11A4M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 10% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 3µs, 3µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A4M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H11A4M-FT |
4N27FM
ON Semiconductor
4N27FR2M
ON Semiconductor
4N27FR2VM
ON Semiconductor
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
4N29S
ON Semiconductor
4N29SD
ON Semiconductor
CNY172SVM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor
XC6SLX25-2FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG900C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I5ES
Intel
EPF10K100EQC208-2
Intel
5SGSMD4H3F35I3N
Intel