casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / H11A4M-V
codice articolo del costruttore | H11A4M-V |
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Numero di parte futuro | FT-H11A4M-V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11A4M-V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 10% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 3µs, 3µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A4M-V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H11A4M-V-FT |
4N27FR2M
ON Semiconductor
4N27FR2VM
ON Semiconductor
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
4N29S
ON Semiconductor
4N29SD
ON Semiconductor
CNY172SVM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor
XC6SLX100T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FT256I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
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EP2AGX45CU17C4N
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EP20K400EBC652-1N
Intel