casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / H11A1TVM
codice articolo del costruttore | H11A1TVM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H11A1TVM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11A1TVM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 50% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 2µs, 2µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 30V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.18V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A1TVM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H11A1TVM-FT |
CNY17F2SR2M
ON Semiconductor
CNY174SR2VM
ON Semiconductor
CNY17F1SR2M
ON Semiconductor
4N37SR2VM
ON Semiconductor
H11A1SR2M
ON Semiconductor
MOC8106SR2M
ON Semiconductor
4N35SR2VM
ON Semiconductor
4N37SR2M
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM
ON Semiconductor
H11AA4SVM
ON Semiconductor
A54SX16A-TQ144A
Microsemi Corporation
EPF6010ATC144-2
Intel
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4PQ208C
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC484-2X
Intel
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
5SGXEA7K2F35I2N
Intel
XC5VFX70T-2FFG665C
Xilinx Inc.
LFE5U-45F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation