casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / GWM100-01X1-SMDSAM
codice articolo del costruttore | GWM100-01X1-SMDSAM |
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Numero di parte futuro | FT-GWM100-01X1-SMDSAM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GWM100-01X1-SMDSAM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 17-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS-DIL™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GWM100-01X1-SMDSAM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GWM100-01X1-SMDSAM-FT |
APTML102UM09R004T3AG
Microsemi Corporation
APTML202UM18R010T3AG
Microsemi Corporation
APTML502UM90R020T3AG
Microsemi Corporation
BSS84AKS/ZLX
Nexperia USA Inc.
BUK7K6R2-40E/CX
NXP USA Inc.
BUK9MFF-65PSS,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MGP-55PTS,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MHH-65PNN,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-65PLL,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MNN-65PKK,518
Nexperia USA Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGXMB9R3H43I4N
Intel
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
10AX057K2F35I2LG
Intel