casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - fotoelettrici, industriali / GTB10-P4212
codice articolo del costruttore | GTB10-P4212 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GTB10-P4212 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G10 |
GTB10-P4212 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Metodo di sensing | Proximity |
Distanza di rilevamento | 0.787" ~ 37.402" (20mm ~ 950mm) |
Tensione - Fornitura | 10V ~ 30V |
Tempo di risposta | 500µs |
Configurazione di uscita | PNP |
Metodo di connessione | Connector, M12 |
Protezione dall'ingresso | IP67 |
Lunghezza del cavo | - |
Fonte di luce | Red (625nm) |
Tipo di regolazione | Adjustable, 5-Turn Potentiometer |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 60°C (TA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTB10-P4212 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GTB10-P4212-FT |
WTL16P-34161120A00
SICK, Inc.
WTF12-3P2441
SICK, Inc.
WTF12-3P2431
SICK, Inc.
WTB9-3P2261
SICK, Inc.
WTB9L-3P2261
SICK, Inc.
WTB4S-3P2231
SICK, Inc.
WTB4S-3N2232
SICK, Inc.
WTB4-3P2271
SICK, Inc.
WTB2S-2P3130
SICK, Inc.
WTB27-3R2611
SICK, Inc.
XC2S50-5FG256I
Xilinx Inc.
XCV812E-7FG900C
Xilinx Inc.
A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7K1F40C2LN
Intel
5SGSED6K3F40I3L
Intel
5SGXMBBR2H43I3N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation
EP4SGX290HF35C4N
Intel