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Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
- Numero parte MFG
- GT8G133(TE12L,Q)
- quantità disponibile
- 76820 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - IGBT 400V 600MW 8TSSOP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- GT8G133(TE12L,Q).pdf
GT8G133(TE12L,Q) specificazioni
| codice articolo del costruttore | GT8G133(TE12L,Q) |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-GT8G133(TE12L,Q) |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| GT8G133(TE12L,Q) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 4V, 150A |
| Potenza - Max | 600mW |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 1.7µs/2µs |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GT8G133(TE12L,Q) Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | GT8G133(TE12L,Q)-FT |
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