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Renesas Electronics America GT28F320C3BA110

Numero parte MFG
GT28F320C3BA110
quantità disponibile
73910 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.481
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Data di spedizione
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fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
- IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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GT28F320C3BA110 specificazioni

codice articolo del costruttore GT28F320C3BA110
Numero di parte futuro FT-GT28F320C3BA110
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GT28F320C3BA110 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Last Time Buy
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM
Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 45ns
Tempo di accesso 45ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.4V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 52-TSOP II
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT28F320C3BA110 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GT28F320C3BA110-FT

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