casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXD160A008S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXD160A008S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXD160A008S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXD160A008S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 160A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD160A008S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXD160A008S1-D3-FT |
DSSK80-0045B
IXYS
DSSK60-015A
IXYS
DSEC30-12A
IXYS
DSEC30-06A
IXYS
DSEC30-06B
IXYS
DSEC60-06B
IXYS
DSEC60-12A
IXYS
DSEK60-12A
IXYS
DSP45-16A
IXYS
DSSK30-01A
IXYS
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel