casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXD080A018S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXD080A018S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXD080A018S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXD080A018S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 180V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 80A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 80A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 180V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD080A018S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXD080A018S1-D3-FT |
DSP45-16A
IXYS
DSSK30-01A
IXYS
DSSK40-0015B
IXYS
DSSK40-006B
IXYS
DSSK40-008B
IXYS
DSSK50-0025B
IXYS
DSSK50-015A
IXYS
DSSK50-01A
IXYS
DSSK60-0045A
IXYS
DSSK60-0045B
IXYS
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation