casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXD080A008S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXD080A008S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXD080A008S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXD080A008S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 80A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 80A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD080A008S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXD080A008S1-D3-FT |
DSEC30-03A
IXYS
DSEC30-04A
IXYS
DSEC60-02A
IXYS
DSEC60-03A
IXYS
DSEC60-04A
IXYS
DSSK30-0045A
IXYS
DSSK30-0045B
IXYS
DSSK70-008AR
IXYS
DSP25-16AR
IXYS
DPG60C300HJ
IXYS
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel