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codice articolo del costruttore | GSOT36-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GSOT36-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GSOT36-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 36V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 39V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 71V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.5A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 248W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | 52pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT36-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSOT36-HE3-18-FT |
GSOT03-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation