casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / GSOT15-HG3-08
codice articolo del costruttore | GSOT15-HG3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GSOT15-HG3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GSOT15-HG3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 15V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 16.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 28.8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 8A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 230W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | 90pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT15-HG3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSOT15-HG3-08-FT |
GL05T-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation