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codice articolo del costruttore | GSOT12C-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GSOT12C-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSOT12C-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 2 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 13.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 26V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 12A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 312W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 115pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT12C-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSOT12C-G3-18-FT |
GSOT24C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel