casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GSIB6A60N-M3/45
codice articolo del costruttore | GSIB6A60N-M3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-GSIB6A60N-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSIB6A60N-M3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GSIB-5S |
Pacchetto dispositivo fornitore | GSIB-5S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB6A60N-M3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSIB6A60N-M3/45-FT |
GBU4G-BP
Micro Commercial Co
GBU8G-BP
Micro Commercial Co
GBU6M-BP
Micro Commercial Co
GBU15J-BP
Micro Commercial Co
GBU4K-BP
Micro Commercial Co
GBU8K-BP
Micro Commercial Co
GBU6D-BP
Micro Commercial Co
GBU6J-BP
Micro Commercial Co
GBU10A-BP
Micro Commercial Co
GBU15D-BP
Micro Commercial Co
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation