casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GSIB6A20N-M3/45
codice articolo del costruttore | GSIB6A20N-M3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-GSIB6A20N-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSIB6A20N-M3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GSIB-5S |
Pacchetto dispositivo fornitore | GSIB-5S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB6A20N-M3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSIB6A20N-M3/45-FT |
GBU10D-BP
Micro Commercial Co
GBU8M-BP
Micro Commercial Co
GBU4B-BP
Micro Commercial Co
GBU4D-BP
Micro Commercial Co
GBU4G-BP
Micro Commercial Co
GBU8G-BP
Micro Commercial Co
GBU6M-BP
Micro Commercial Co
GBU15J-BP
Micro Commercial Co
GBU4K-BP
Micro Commercial Co
GBU8K-BP
Micro Commercial Co
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel