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codice articolo del costruttore | GSE6-N6312 |
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Numero di parte futuro | FT-GSE6-N6312 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G6 |
GSE6-N6312 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Metodo di sensing | Through-Beam |
Distanza di rilevamento | 590.551" (15m) |
Tensione - Fornitura | 10V ~ 30V |
Tempo di risposta | 500µs |
Configurazione di uscita | NPN |
Metodo di connessione | Cable with Connector |
Protezione dall'ingresso | IP67 |
Lunghezza del cavo | 11.81" (300.00mm) |
Fonte di luce | Red (650nm) |
Tipo di regolazione | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 55°C (TA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-N6312 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSE6-N6312-FT |
GRTE18-P1142
SICK, Inc.
GRTE18-P1147
SICK, Inc.
GRTE18-P1162
SICK, Inc.
GRTE18-P1167
SICK, Inc.
GRTE18-P2412
SICK, Inc.
GRTE18-P2417
SICK, Inc.
GRTE18-P2442
SICK, Inc.
GRTE18-P2447
SICK, Inc.
GRTE18-P2462
SICK, Inc.
GRTE18-P2467
SICK, Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU11P-1FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P250L-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
EP3C10F256C7
Intel
5SGXEBBR2H43I2
Intel
XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.