casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSD2004C-G3-08
codice articolo del costruttore | GSD2004C-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GSD2004C-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSD2004C-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 240V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 225mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 240V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004C-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSD2004C-G3-08-FT |
V40100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR3020WT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel