casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSD2004A-HE3-18
codice articolo del costruttore | GSD2004A-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GSD2004A-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSD2004A-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 240V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 225mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 240V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004A-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSD2004A-HE3-18-FT |
UG30CPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30DPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel