casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPP100MS-E3/54
codice articolo del costruttore | GPP100MS-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-GPP100MS-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPP100MS-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPP100MS-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPP100MS-E3/54-FT |
1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel