casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / GPA020A135MN-FD
codice articolo del costruttore | GPA020A135MN-FD |
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Numero di parte futuro | FT-GPA020A135MN-FD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPA020A135MN-FD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 223W |
Cambiare energia | 2.5mJ (on), 760µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 180nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/175ns |
Condizione di test | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 425ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA020A135MN-FD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPA020A135MN-FD-FT |
IRGP6640DPBF
Infineon Technologies
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IRGPC40UD2
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IRGPC50F
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XC2S50-6PQG208C
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XC6SLX45-2FGG484I
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AFS600-1FG484
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XC7A200T-2SBG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
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LFE2-35SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
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