casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP30B-E3/73
codice articolo del costruttore | GP30B-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-GP30B-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GP30B-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP30B-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP30B-E3/73-FT |
VS-8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF1NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF2NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF2RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF4RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB560-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel