codice articolo del costruttore | GP2S40 |
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Numero di parte futuro | FT-GP2S40 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2S40 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Distanza di rilevamento | 0.256" (6.5mm) |
Metodo di sensing | Reflective |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Tipo di uscita | Phototransistor |
Tempo di risposta | 50µs, 50µs |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | PCB Mount |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2S40 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2S40-FT |
EE-SF5
Omron Electronics Inc-EMC Div
EE-SF5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div
EE-SB5
Omron Electronics Inc-EMC Div
EE-SB5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div
EE-SY113
Omron Electronics Inc-EMC Div
MTRS9520D
Marktech Optoelectronics
MTRS9520
Marktech Optoelectronics
MTRS6660D
Marktech Optoelectronics
MTRS6660
Marktech Optoelectronics
MTRS6140D
Marktech Optoelectronics
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMB9R2H43C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35C2LN
Intel
XC4VLX160-11FFG1148I
Xilinx Inc.
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180DF29I3
Intel