casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP2M005A050HG
codice articolo del costruttore | GP2M005A050HG |
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Numero di parte futuro | FT-GP2M005A050HG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M005A050HG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 98.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M005A050HG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2M005A050HG-FT |
GP1M006A065PH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050PG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020PG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065PG
Global Power Technologies Group
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel