casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP2M005A050FG
codice articolo del costruttore | GP2M005A050FG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GP2M005A050FG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M005A050FG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M005A050FG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2M005A050FG-FT |
IRFU3806PBF
Infineon Technologies
IRFU3910
Infineon Technologies
IRFU3911PBF
Infineon Technologies
IRFU4104PBF
Infineon Technologies
IRFU4105
Infineon Technologies
IRFU4105PBF
Infineon Technologies
IRFU4105Z
Infineon Technologies
IRFU4510PBF
Infineon Technologies
IRFU4615PBF
Infineon Technologies
IRFU4620PBF
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.