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Global Power Technologies Group GP2M004A065FG

Numero parte MFG
GP2M004A065FG
quantità disponibile
89810 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Global Power Technologies Group
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore GP2M004A065FG
Numero di parte futuro FT-GP2M004A065FG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GP2M004A065FG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 642pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 32.8W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M004A065FG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GP2M004A065FG-FT

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