casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D060A120B
codice articolo del costruttore | GP2D060A120B |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D060A120B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D060A120B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 182A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 60A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 3809pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D060A120B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D060A120B-FT |
GHR16-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI810-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI811-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI812-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI814-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel