casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP1M009A090FH
codice articolo del costruttore | GP1M009A090FH |
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Numero di parte futuro | FT-GP1M009A090FH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M009A090FH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2324pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M009A090FH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1M009A090FH-FT |
IRFU3706
Infineon Technologies
IRFU3706PBF
Infineon Technologies
IRFU3707
Infineon Technologies
IRFU3707PBF
Infineon Technologies
IRFU3707ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3708
Infineon Technologies
IRFU3708PBF
Infineon Technologies
IRFU3709
Infineon Technologies
IRFU3709Z-701P
Infineon Technologies
IRFU3709ZPBF
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel