casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10VE-M3/54
codice articolo del costruttore | GP10VE-M3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-GP10VE-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
GP10VE-M3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10VE-M3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10VE-M3/54-FT |
FR307-TP
Micro Commercial Co
FS1A-TP
Micro Commercial Co
FS1B-TP
Micro Commercial Co
FS1D-TP
Micro Commercial Co
FS1G-TP
Micro Commercial Co
FS1J-TP
Micro Commercial Co
FS1K-TP
Micro Commercial Co
FS2A-TP
Micro Commercial Co
FS2B-TP
Micro Commercial Co
FS2D-TP
Micro Commercial Co
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel