casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10M-4007E-M3/73
codice articolo del costruttore | GP10M-4007E-M3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-GP10M-4007E-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
GP10M-4007E-M3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10M-4007E-M3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10M-4007E-M3/73-FT |
GP10-4007EHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007EHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007EHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007EHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007HE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007HM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007HM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel