casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10M-4007E-M3/73
codice articolo del costruttore | GP10M-4007E-M3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-GP10M-4007E-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
GP10M-4007E-M3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10M-4007E-M3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10M-4007E-M3/73-FT |
GP10-4007EHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007EHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007EHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007EHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007HE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007HM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4007HM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel