casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10D-4003E-M3/73
codice articolo del costruttore | GP10D-4003E-M3/73 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GP10D-4003E-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
GP10D-4003E-M3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10D-4003E-M3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10D-4003E-M3/73-FT |
GP08G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08GE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08GEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP08JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel