casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10-4007E-E3/53
codice articolo del costruttore | GP10-4007E-E3/53 |
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Numero di parte futuro | FT-GP10-4007E-E3/53 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
GP10-4007E-E3/53 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10-4007E-E3/53 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10-4007E-E3/53-FT |
GP02-25-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-25HE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-25HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-25HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-25HM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-25HM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-30-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-30-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-30-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP02-30-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation