casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10-4003EHM3/73
codice articolo del costruttore | GP10-4003EHM3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-GP10-4003EHM3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
GP10-4003EHM3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10-4003EHM3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10-4003EHM3/73-FT |
FGP10D-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-2-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-2-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-2-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel