casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP10-4003E-M3/54
codice articolo del costruttore | GP10-4003E-M3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-GP10-4003E-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
GP10-4003E-M3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10-4003E-M3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP10-4003E-M3/54-FT |
FGP10CHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10D-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10D-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP10DHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel