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codice articolo del costruttore | GO 30-SMS |
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Numero di parte futuro | FT-GO 30-SMS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GO-SMS |
GO 30-SMS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Per misurare | AC/DC |
Tipo di sensore | Hall Effect |
Corrente: rilevamento | 30A |
Numero di canali | 1 |
Produzione | Ratiometric, Voltage |
sensibilità | 26.7mV/A |
Frequenza | DC ~ 300kHz |
Linearità | ±0.3% |
Precisione | ±1.3% |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Tempo di risposta | 2µs |
Corrente - Alimentazione (max) | 25mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Polarizzazione | Bidirectional |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
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Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GO 30-SMS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GO 30-SMS-FT |
DRV421RTJT
Texas Instruments
DRV421RTJR
Texas Instruments
SI8501-C-IS
Silicon Labs
SI8501-C-ISR
Silicon Labs
SI8502-C-IS
Silicon Labs
SI8502-C-ISR
Silicon Labs
SI8503-C-IS
Silicon Labs
SI8503-C-ISR
Silicon Labs
SI8511-C-IS
Silicon Labs
SI8511-C-ISR
Silicon Labs
XCV150-4FG256I
Xilinx Inc.
XC3S50-4PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
EP4CE15F17A7N
Intel
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
EP3SL150F1152C4N
Intel
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K20RI240-4
Intel