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codice articolo del costruttore | GO 20-SMS |
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Numero di parte futuro | FT-GO 20-SMS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GO-SMS |
GO 20-SMS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Per misurare | AC/DC |
Tipo di sensore | Hall Effect |
Corrente: rilevamento | 20A |
Numero di canali | 1 |
Produzione | Ratiometric, Voltage |
sensibilità | 40mV/A |
Frequenza | DC ~ 300kHz |
Linearità | ±0.3% |
Precisione | ±1.3% |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Tempo di risposta | 2µs |
Corrente - Alimentazione (max) | 25mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Polarizzazione | Bidirectional |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
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Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GO 20-SMS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GO 20-SMS-FT |
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems, LLC
DRV421RTJT
Texas Instruments
DRV421RTJR
Texas Instruments
SI8501-C-IS
Silicon Labs
SI8501-C-ISR
Silicon Labs
SI8502-C-IS
Silicon Labs
SI8502-C-ISR
Silicon Labs
SI8503-C-IS
Silicon Labs
SI8503-C-ISR
Silicon Labs
SI8511-C-IS
Silicon Labs
A1010B-2VQ80C
Microsemi Corporation
XC4005E-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8
Intel
EP3C25U256C6N
Intel
10AX115N4F40E3SG
Intel
EP2AGX190FF35I3N
Intel