casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GL41DHE3/97
codice articolo del costruttore | GL41DHE3/97 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GL41DHE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GL41DHE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL41DHE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GL41DHE3/97-FT |
RGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41DHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41DHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41G-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41GHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41GHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41JHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41JHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41K-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation