casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GL41BHE3/97
codice articolo del costruttore | GL41BHE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-GL41BHE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GL41BHE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL41BHE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GL41BHE3/97-FT |
RGL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41B-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41BHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41BHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41DHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41DHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41G-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41GHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41GHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel