casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GL34JHE3/83
codice articolo del costruttore | GL34JHE3/83 |
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Numero di parte futuro | FT-GL34JHE3/83 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GL34JHE3/83 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 500mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL34JHE3/83 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GL34JHE3/83-FT |
1N6483-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41BHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel