casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GIB2402HE3/81
codice articolo del costruttore | GIB2402HE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-GIB2402HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GIB2402HE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2402HE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GIB2402HE3/81-FT |
30CTQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CTS
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel