codice articolo del costruttore | GI818 |
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Numero di parte futuro | FT-GI818 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GI818 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 750ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GI818 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GI818-FT |
SBYV27-150-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB240-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG2D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4383GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4384GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4384GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4385GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4585GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4586GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel