casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GHXS010A060S-D1E
codice articolo del costruttore | GHXS010A060S-D1E |
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Numero di parte futuro | FT-GHXS010A060S-D1E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GHXS010A060S-D1E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Silicon Carbide Schottky |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS010A060S-D1E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GHXS010A060S-D1E-FT |
VUO62-12NO7
IXYS
VUO62-14NO7
IXYS
VUO62-18NO7
IXYS
VUO82-08NO7
IXYS
VUO82-12NO7
IXYS
VUO82-14NO7
IXYS
VUO82-18NO7
IXYS
VUO62-16NO7
IXYS
VBO52-14NO7
IXYS
VBO72-14NO7
IXYS
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel