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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc GE28F320C3BC90

Numero parte MFG
GE28F320C3BC90
quantità disponibile
20550 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 4.658848
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Data di spedizione
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fabbricante
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Breve descrizione
- IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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GE28F320C3BC90 specificazioni

codice articolo del costruttore GE28F320C3BC90
Numero di parte futuro FT-GE28F320C3BC90
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GE28F320C3BC90 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria 256Mb (8M x 32)
Frequenza di clock 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso 5.5ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.3V ~ 3V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GE28F320C3BC90 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GE28F320C3BC90-FT

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