casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ8V2B-HG3-08
codice articolo del costruttore | GDZ8V2B-HG3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ8V2B-HG3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ8V2B-HG3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ8V2B-HG3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ8V2B-HG3-08-FT |
GDZ36B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel