casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ6V8B-HG3-18
codice articolo del costruttore | GDZ6V8B-HG3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ6V8B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V8B-HG3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 3.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V8B-HG3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ6V8B-HG3-18-FT |
GDZ30B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-N3FGG676I
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3
Intel
EP4SGX180KF40C2
Intel
XC6VHX380T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP4CE30F29I8L
Intel