casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ5V6B-G3-18
codice articolo del costruttore | GDZ5V6B-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ5V6B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ5V6B-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 2.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ5V6B-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ5V6B-G3-18-FT |
GDZ2V2B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V4B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel