casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ4V7B-HE3-08
codice articolo del costruttore | GDZ4V7B-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ4V7B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ4V7B-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ4V7B-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ4V7B-HE3-08-FT |
GDZ27B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144M
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A1415A-1VQ100M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C4
Intel
EP20K100FC324-3
Intel